金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海鑫维半导体有限公司取得一项名为“一种使用中子源轰击硅片加工的超快速ESD器件”的专利，授权公告号CN223206263U，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种使用中子源轰击硅片加工的超快速ESD器件，涉及ESD器件技术领域。该使用中子源轰击硅片加工的超快速ESD器件，包括封装主体与封装上盖，所述封装主体的上侧表面开设有放置槽，放置槽内部设置有引脚，封装主体的上侧表面开设有两个凹槽，两个凹槽的底壁均固定连接有弹簧，两个弹簧的上端固定连接有U形固定架，U形固定架的下侧表面与引脚的上侧表面接触，封装主体的内壁固定连接有安装板，封装主体的上侧表面开设有定位槽，定位槽的底壁开设有锁定槽，封装上盖的下侧表面固定连接有与锁定槽相适配的锁定板，可以使得在组装固定时没有额外分离的小组件，避免了在后续拆卸的过程中导致部分小部件丢失导致无法安装的问题。

天眼查资料显示，上海鑫维半导体有限公司，成立于2009年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，上海鑫维半导体有限公司专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。

本文源自：金融界